Fotostabilita amorfních chalkogenidů systému Ge-As-Se

Abstract

Diplomová práce se zabývá přípravou a studiem objemových skel a tenkých vrstev systému Ge-As-Se. Tenké vrstvy byly připraveny technikou pulzní laserové depozice. Připravené tenké vrstvy byly studovány pomocí skenovacího elektronového mikroskopu s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí a mikroskopií atomárních sil. Pomocí spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu byly studovány reverzibilní a ireverzibilní fotoindukované jevy.