| dc.contributor.advisor |
Jambor, Roman |
cze |
| dc.contributor.author |
Řičica, Tomáš |
|
| dc.date.accessioned |
2012-09-14T04:42:07Z |
|
| dc.date.available |
2012-09-14T04:42:07Z |
|
| dc.date.issued |
2012 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
| dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10195/47405 |
|
| dc.description.abstract |
Práce byla zaměřena na organokovové sloučeniny 13. skupiny s chalkogenidy užívané jako SSP pro depozice tenkých vrstev III ? VI materiálů pomocí metody MOCVD. Hlavní pozornost byla upřena na chemickou strukturu a složení SSP obsahující galium a indium. Byly zkoumány především jejich sublimační a rozkladné teploty, které jsou závislé zejména na navázaných alkyl nebo aryl substituentech. Tyto různé depoziční teploty vedly k ukládání tenkých vrstev s rozdílnými strukturami. Jejichž elektrické vlastnosti byly zkoumány. |
cze |
| dc.format |
52 s. |
cze |
| dc.format.extent |
1833769 bytes |
cze |
| dc.format.mimetype |
application/pdf |
cze |
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Práce bude přístupná pouze v rámci univerzity od 24.6.2017 |
cze |
| dc.subject |
SSP |
cze |
| dc.subject |
MOCVD |
cze |
| dc.subject |
13. skupina |
cze |
| dc.subject |
II-VI a III-VI materiál |
cze |
| dc.subject |
tenká vrstva |
cze |
| dc.subject |
13. group |
eng |
| dc.subject |
II-VI a III-VI material |
eng |
| dc.subject |
thin film |
eng |
| dc.title |
Organokovové chalkogenidy prvků 13-té skupiny jako SSP pro depozice tenkých vrstev. |
cze |
| dc.title.alternative |
Organometallic chalcogenides of 13th group elements as SSP for depositions of thin layers. |
eng |
| dc.type |
bakalářská práce |
cze |
| dc.date.accepted |
2012 |
cze |
| dc.description.abstract-translated |
The work was focused on metalorganic coumpounds of the 13th group with chalcogenides used as a SSP for the deposition of thin films III ? VI matarials by MOCDV method. The main attention was focused on the chemical structure and compositioon of SSP containing galium and indium. Were investigated study their sublimation and decomposition temperature, which are dependent on alkyl or aryl substituents bonded in structure. These different deposition temperature led to growing thin film with different structure. And their electric properties were studied. |
eng |
| dc.description.department |
Katedra obecné a anorganické chemie |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Chemie a technická chemie |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Bc. |
cze |
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D27537 |
cze |
| dc.thesis.degree-program |
Chemie a technická chemie |
cze |
| dc.description.defence |
Posluchač seznámil komisi se svojí bakalářskou prací.
Dále reagoval na připomínky a zodpověděl otázky členů komise:
Zdůvodněte požadavek na vysokou čistotu prekurzorů.
Jakou předpokládáte tloušťku připravených vrstev?
Co to jsou inserční reakce? |
cze |
| dc.identifier.stag |
18289 |
cze |
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
