Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.author |
Hatayama, Shogo
|
|
dc.contributor.author |
Saito, Yuta
|
|
dc.contributor.author |
Makino, Kotaro
|
|
dc.contributor.author |
Uchida, Noriyuki
|
|
dc.contributor.author |
Shuang, Yi
|
|
dc.contributor.author |
Mori, Shunsuke
|
|
dc.contributor.author |
Sutou, Yuji
|
|
dc.contributor.author |
Krbal, Miloš
|
|
dc.contributor.author |
Fons, Paul
|
|
dc.date.accessioned |
2023-07-12T12:56:40Z |
|
dc.date.available |
2023-07-12T12:56:40Z |
|
dc.date.issued |
2022 |
|
dc.identifier.issn |
2050-7526 |
|
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/80973 |
|
dc.description.abstract |
Sputter-grown amorphous Mo-Te films were annealed to obtain the crystalline phase. Although as-deposited films exhibited an off-stoichiometric Te-rich composition, optimized annealing conditions enabled the elimination of excess Te by a preferential sublimation process. Owing to their similar local structure, the disordered amorphous phase first crystallized into a high temperature phase, 1T ', followed by a phase transition to the 2H structure upon further annealing. To realize 2D MoTe2-based novel devices, understanding the crystallization mechanism of amorphous Mo-Te films is critical. Furthermore, the robustness of the fabrication method, i.e., the establishment of a method to realize MoTe2 single-phase formation, which does not require the initial composition of the as-deposited amorphous film to be exactly stoichiometric, will greatly contribute to the deposition of large-area MoTe2 films essential for industrial applications. |
eng |
dc.format |
p. 10627-10635 |
eng |
dc.language.iso |
eng |
|
dc.publisher |
Royal Society of Chemistry |
eng |
dc.relation.ispartof |
Journal of Materials Chemistry C, volume 10, issue: 29 |
eng |
dc.rights |
open access |
eng |
dc.rights.uri |
https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/ |
|
dc.subject |
MoTe2 |
eng |
dc.subject |
crystallization |
eng |
dc.subject |
optimized annealing conditions |
eng |
dc.subject |
sublimation |
eng |
dc.subject |
structure |
eng |
dc.subject |
MoTe2 |
cze |
dc.subject |
krystalizace |
cze |
dc.subject |
optimální podmínky žíhání |
cze |
dc.subject |
sublimace |
cze |
dc.subject |
struktura |
cze |
dc.title |
Phase control of sputter-grown large-area MoTe2 films by preferential sublimation of Te: amorphous, 1T ' and 2H phases |
eng |
dc.title.alternative |
Fázové řízení naprašovaných filmů MoTe2 na velkou plochu preferenční sublimací Te: amorfní, 1T´ a 2H fáze |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
Amorfní tenké vrstvy Mo–Te připravené naprašováním byly žíhány k získání krystalická fáze. Ačkoli jako čerstvě nanesené filmy byly nestechiometrického složení bohaté na Te, optimalizované podmínky žíhání umožnily eliminaci přebytku Te preferenčním sublimačním procesem. Vzhledem k podobné lokální struktuře amorfní a krystalické fáze, neuspořádaná amorfní fáze se nejdříve transformovala do vysokoteplotní fáze, 1T´, následovaná fázovým přechodem na strukturu 2H po dalším žíhání. Pro realizaci nových zařízení na bázi 2D MoTe2 je zásadní pochopení mechanismu krystalizace amorfních tenkých vrstev Mo-Te. Kromě toho robustnost způsobu výroby, tj. zavedení způsobu realizace jednofázové tvorby MoTe2, který nevyžaduje, aby počáteční složení naneseného amorfního filmu bylo přesně stechiometrické, výrazně přispěje k depozici MoTe2 tenkých vrstev na velké plochy nezbytné pro průmyslové aplikace. |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
published |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1039/d2tc01281b |
|
dc.relation.publisherversion |
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2022/TC/D2TC01281B |
|
dc.identifier.wos |
000823769000001 |
|
dc.identifier.scopus |
2-s2.0-85136059118 |
|
dc.rights.license |
CC BY 3.0 |
|
dc.identifier.obd |
39887550 |
|
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
Zobrazit minimální záznam
Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je open access
|
Vyhledávání
Procházet
-
Vše v Digitální knihovně
-
Tato kolekce
Můj účet
|