Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.author |
Krbal, Miloš |
cze |
dc.contributor.author |
Kolobov, A. V. |
cze |
dc.contributor.author |
Fons, P. |
cze |
dc.contributor.author |
Mitrofanov, K. V. |
cze |
dc.contributor.author |
Tamenori, Y. |
cze |
dc.contributor.author |
Hyot, B. |
cze |
dc.contributor.author |
Andre, B. |
cze |
dc.contributor.author |
Tominaga, J. |
cze |
dc.date.accessioned |
2018-02-27T03:32:33Z |
|
dc.date.available |
2018-02-27T03:32:33Z |
|
dc.date.issued |
2017 |
eng |
dc.identifier.issn |
0925-8388 |
eng |
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/70221 |
|
dc.description.abstract |
Using N K-edge XANES studies, we demonstrate a noticeable difference in local structure around the nitrogen atoms in as-deposited amorphous and annealed N-doped GeTe-based phase change alloys. The pronounced changes appear as a approximate to 2 eV shift in the absorption edge to higher photon energies and the overall shape of the XANES spectrum. Comparison of the experimental XANES spectrum of the as deposited amorphous phase with ab-initio XANES simulations discloses that the as-deposited phase mainly consists of the NGe3 and the NTe3 pyramidal units in approximately equal concentration. When annealed, NTe3 units gradually rebond to the NGe3 units and at the same time N atoms diffuse through the amorphous phase to form the GexNy aggregates. Upon long-standing annealing at 400 degrees C a compact interlayer of Ge3N4 is formed in the crystalline phase. |
eng |
dc.format |
p. 254-259 |
eng |
dc.language.iso |
eng |
eng |
dc.publisher |
Elsevier Science SA |
eng |
dc.relation.ispartof |
Journal of Alloys and Compounds, volume 704, issue: květen |
eng |
dc.rights |
open access |
eng |
dc.subject |
X-ray absorption spectroscopy |
eng |
dc.subject |
Phase-change memory |
eng |
dc.subject |
Local structure |
eng |
dc.subject |
RTG absorpční spektroskopie |
cze |
dc.subject |
Phase-change paměť |
cze |
dc.subject |
lokální struktura |
cze |
dc.title |
Detection of N-Te bonds in the as-deposited amorphous nitrogen-doped GeTe-based phase change alloys using N K-edge XANES spectroscopy and their impact on crystallization |
eng |
dc.title.alternative |
Detekce N-Te vazeb v dusíkem dopovaných amorfních phase change slitinách na bázi GeTe pomocí XANES spektroskopie N K-hrany a jejich dopad na krystalizaci |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
Zjistili jsme pomocí XANES studií N K-hrany značný rozdíl v lokálním uspořádání kolem atomů dusíku v čerstvě připravených amorfních a žíhaných dusíkem dopovaných slitinách na bázi GeTe. Zřetelné změny se objevují v podobě posunu v absorpční hraně o 2 eV do vyšších fotonových energií a celkovým tvarem XANES spektra. Porovnání experimentálního XANES spektra deponované amorfní fáze s ab-initio XANES simulacemi odhaluje, že deponovaná amorfní fáze se převážně skládá z NGe3 a NTe3 pyramidálních jednotek v přibližně shodném koncentraci. Během žíhání se NTe3 jednotky postupně přetvářejí do NGe3 jednotek a současně atomy dusíku difundují skrz amorfní fázi za tvorby GexNy shluků. Při dlouhodobém žíhání na teplotu 400°C se vytváří v krystalické fázi mezivrstva Ge3N4. |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
preprint |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1016/j.jallcom.2017.01.322 |
eng |
dc.identifier.wos |
000396950900033 |
eng |
dc.identifier.scopus |
2-s2.0-85012146260 |
|
dc.identifier.obd |
39880573 |
eng |
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
Zobrazit minimální záznam
|
Vyhledávání
Procházet
-
Vše v Digitální knihovně
-
Tato kolekce
Můj účet
|