Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.author |
Kovalskiy, Andriy |
cze |
dc.contributor.author |
Vlček, Miroslav
|
cze |
dc.contributor.author |
Pálka, Karel
|
cze |
dc.contributor.author |
Bůžek, Jan
|
cze |
dc.contributor.author |
York-Winegar, James |
cze |
dc.contributor.author |
Oelgoetz, Justin |
cze |
dc.contributor.author |
Golovchak, Roman |
cze |
dc.contributor.author |
Shpotyuk, Oleh |
cze |
dc.contributor.author |
Jain, Himanshu |
cze |
dc.date.accessioned |
2018-02-27T03:28:43Z |
|
dc.date.available |
2018-02-27T03:28:43Z |
|
dc.date.issued |
2017 |
eng |
dc.identifier.issn |
0169-4332 |
eng |
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/70191 |
|
dc.description.abstract |
Photostructural transformations within AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) thin films upon exposure to LED light of different wavelengths, in both air and argon environments have been studied by high resolution XPS, Raman spectroscopy and LEIS methods. These complementary results show that light of energies close to the band gap does not modify chemical composition of the surface, but induces simple photopolymerization reactions. Superbandgap UV light, however, significantly increases S/As ratio on the surface due to formation of S-rich layer under both environmental conditions. It is proposed that photovaporization of both oxide and non-oxide cage-like molecules is responsible for the observed effect. |
eng |
dc.format |
p. 604-612 |
eng |
dc.language.iso |
eng |
eng |
dc.publisher |
Elsevier Science BV |
eng |
dc.relation.ispartof |
Applied Surface Science, volume 394, issue: February |
eng |
dc.rights |
pouze v rámci univerzity |
eng |
dc.subject |
energy ion-scattering |
eng |
dc.subject |
chalcogenide glasses |
eng |
dc.subject |
photostructural changes |
eng |
dc.subject |
amorphous As2S3 |
eng |
dc.subject |
spectroscopy |
eng |
dc.subject |
dependence |
eng |
dc.subject |
wavelength |
eng |
dc.subject |
system |
eng |
dc.subject |
model |
eng |
dc.subject |
atoms |
eng |
dc.subject |
iontový rozptyl |
cze |
dc.subject |
chalkogenidová skla |
cze |
dc.subject |
photostruturní změny |
cze |
dc.subject |
amorfní As2S3 |
cze |
dc.subject |
spektroskopie |
cze |
dc.subject |
závislost |
cze |
dc.subject |
vlnová délka |
cze |
dc.subject |
systém |
cze |
dc.subject |
model |
cze |
dc.subject |
atomy |
cze |
dc.title |
Structural origin of surface transformations in arsenic sulfide thin films upon UV-irradiation |
eng |
dc.title.alternative |
Strukturní původ povrchových transformací v tenkých vrstvách sulfidu arsenitého vyvolaných UV expozicí |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
Fotostrukturální tranformace ve vrstvách AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) vyvolané vlivem expozice LED zářením různých vlnových délek jak na vzduchu, tak i v argonu byla studována metodou XPS, Ramanovou spektroskopií a metodou LEIS. Tyto komplementární výsledky ukazují, že světlo o energii blízké optické šířce zakázaného pásu nemění chemické složení povrchu, ale indukuje jednoduché fotopolymerizační reakce. UV záření však výrazně zvyšuje poměr As/S na povrchu materiálu díky formaci na síru bohaté vrstvy v obou použitých prostředích. Za účelem vysvětlení pozorovaných změn byl navržen mechanismus fotoindukovaného odparu jak oxidových, tak i neoxidových molekul (ve tvaru klece). |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
preprint |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1016/j.apsusc.2016.10.002 |
eng |
dc.project.ID |
ED4.100/11.0251/CEMNAT - Centrum materiálů a nanotechnologií |
eng |
dc.identifier.wos |
000389152900070 |
eng |
dc.identifier.scopus |
2-s2.0-84994226172 |
|
dc.identifier.obd |
39879668 |
eng |
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
Zobrazit minimální záznam
|
Vyhledávání
Procházet
-
Vše v Digitální knihovně
-
Tato kolekce
Můj účet
|