dc.contributor.advisor |
Janíček, Petr |
cze |
dc.contributor.author |
Sajdlová, Světlana |
|
dc.date.accessioned |
2012-09-14T04:42:37Z |
|
dc.date.available |
2012-09-14T04:42:37Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
dc.identifier.uri |
http://hdl.handle.net/10195/47515 |
|
dc.description.abstract |
Tato bakalářská práce se zabývá vyšetřením optických a transportních
vlastností polovodiče Ga2Te3 měřením závislostí indexu lomu a absorpčního
koeficientu na energii fotonů dopadajícího záření a dále teplotní závislost elektrické
vodivosti. Z výsledků těchto měření byla zjištěna šířka zakázaného pásu Eg polovodiče
Ga2Te3. Jako výsledek byly porovnány její hodnoty určené z optických a
transportních měření. Pro měření byly vylisované polykrystalické vzorky metodou hot - pressing.
Materiál Ga2Te3 byl připraven syntézou a následnou temperací z elementárních
prvků v stechiometrickém poměru. |
cze |
dc.format |
|
cze |
dc.format.extent |
1475949 bytes |
cze |
dc.format.mimetype |
application/pdf |
cze |
dc.language.iso |
cze |
|
dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
dc.rights |
Bez omezení |
cze |
dc.subject |
Ga2Te3 |
cze |
dc.subject |
pásová struktura |
cze |
dc.subject |
šířka zakázaného pásu |
cze |
dc.subject |
absorpční hrana |
cze |
dc.subject |
mezipásové přechody |
cze |
dc.subject |
optický a termický gap |
cze |
dc.subject |
Ga2Te3 |
cze |
dc.subject |
band structure |
cze |
dc.subject |
band gap |
cze |
dc.subject |
absorption edge |
cze |
dc.subject |
interband transitions |
cze |
dc.subject |
optical and thermal gap |
cze |
dc.title |
Vybrané optické a transportní vlastnosti polykrystalu Ga2Te3 |
cze |
dc.title.alternative |
Selected optical and transport properties of polycrystalline Ga2Te3 |
eng |
dc.type |
bakalářská práce |
cze |
dc.date.accepted |
2012 |
cze |
dc.description.abstract-translated |
The aim of this study was to investigate the optical and transport properties of
gallium telluride with measurements of dependence of the refractive index and
absorption coefficient to incident radiation energy; next temperature dependence of
electrical conductivity.
As the results of these measurements optical and thermal width of forbidden
gap Eg of semiconductor Ga2Te3 was observed. Its values determined from optical
and transport measurements were compared as the result.
Polycrystalline samples for the measurement were made by hot - pressing
method. Material Ga2Te3 was prepared by synthesis of the basic elements in a
stoichiometric ratio and subsequent tempering. |
eng |
dc.description.department |
Ústav aplikované fyziky a matematiky |
cze |
dc.thesis.degree-discipline |
Chemie a technická chemie |
cze |
dc.thesis.degree-name |
Bc. |
cze |
dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
dc.identifier.signature |
Práce dosud není ve studovně dostupná |
cze |
dc.thesis.degree-program |
Chemie a technická chemie |
cze |
dc.description.defence |
Bakalářka přednesla výsledky své bakalářské práce a zodpověděla dotazy členů komise. |
cze |
dc.identifier.stag |
17365 |
cze |
dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |