Studium fotoindukovaných jevů v tenkých vrstvách systému GexAs30-xS70

Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.advisor Vlček, Miroslav cze
dc.contributor.author Filipek, Radek
dc.date.accessioned 2012-07-15T22:41:52Z
dc.date.available 2012-07-15T22:41:52Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier Univerzitní knihovna (studovna) cze
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10195/45985
dc.description.abstract Tato diplomová práce se zabývá studiem expozicí a temperací indukovaných změn struktury a optických parametrů amorfních tenkých vrstev systému Ge-As-S připravených metodou vakuového napařování. cze
dc.format 94 s. cze
dc.format.extent 2264633 bytes cze
dc.format.mimetype application/pdf cze
dc.language.iso cze
dc.publisher Univerzita Pardubice cze
dc.rights Práce bude přístupná pouze v rámci univerzity od 25.5.2022 cze
dc.subject chalkogenidová skla cze
dc.subject tenké vrstvy cze
dc.subject expozicí a temperací indukované změny cze
dc.subject chalcogenide glass eng
dc.subject thin films eng
dc.subject photo and thermally induced changes eng
dc.title Studium fotoindukovaných jevů v tenkých vrstvách systému GexAs30-xS70 cze
dc.title.alternative Study of photoinduced phenomena in GexAs30-xS70 thin films eng
dc.type diplomová práce cze
dc.contributor.referee Vlček, Milan cze
dc.date.accepted 2012 cze
dc.description.abstract-translated This thesis deals with a study of photo and thermally induced changes in structure and optical parameters of amorphous thin films in GexAs30-xS70 system prepared by vacuum thermal evaporation method. eng
dc.description.department Katedra obecné a anorganické chemie cze
dc.thesis.degree-discipline Materiálové inženýrství cze
dc.thesis.degree-name Ing. cze
dc.thesis.degree-grantor Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická cze
dc.identifier.signature D27553 cze
dc.thesis.degree-program Chemie a technologie materiálů cze
dc.description.defence Diplomant seznámil komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagoval na připomínky oponenta. Zodpověděl otázky členů komise: Vysvětlete růst Tg zkoumaných materiálů se změnou koncentrace Ge. Čím je způsobena vyšší koncentrace strukturních jednotek S8 při zvyšování koncetrace As. Nakreslete strukturu pyramidy AsS3/2. Definujte, co je to index lomu. V jakém rozmezí, byly zjištěny hodnoty optických absorpční koeficientů a vysvětlete proč? cze
dc.identifier.stag 18297 cze
dc.description.grade Dokončená práce s úspěšnou obhajobou cze


Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam

Vyhledávání


Rozšířené hledání

Procházet

Můj účet