Amorfní chalkogenidy systému Ge-Sb-Te mají mnoho potenciálních i reálných aplikací. Patří mezi ně i záznam dat pomocí reversibilní fázové změny mezi krystalickým a amorfním stavem. Přeměny krystalický-amorfní stav lze indukovat optickými nebo elektrickými pulsy, což je doprovázeno výraznou změnou optických (reflektivita) nebo elektrických (měrný odpor) vlastností. Předkládaná diplomová práce se zabývá přípravou amorfních chalkogenidových tenkých vrstev systému Ge-Sb-Te metodou magnetronového naprašování. U připravených vzorků byla zjišťována homogenita a složení elektronovou mikroanalýzou SEM-EDX, struktura rentgenovou difrakční analýzou XRD, optické vlastnosti UV-Vis-NIR spektroskopií a spektroskopickou elipsometrií s proměnným úhlem VASE a elektrické vlastnosti měřením plošného elektrického odporu čtyřbodovou sondou metodou podle van der Pauwa. Výsledky jsou konfrontovány s příslušnou literaturou.
