Byly připraveny vybrané objemové vzorky ze systémů GeTe - AgSbTe2 a AgGeSbTe3 - AgPbSbTe3. Mžikovým vakuovým napařováním byly připraveny tenké vrstvy na skleněné a křemíkové substráty. Temperací tenkých vrstev nad teplotou fázového přechodu byly pod ochrannou atmosférou inertního plynu (Ar) připraveny krystalické tenké vrstvy. Amorfní i krystalické vrstvy byly charakterizovány pomocí diferenční skenovací kalorimetrie (DSC), rentgenové difrakční analýzy (XRD), energiově dispersní rentgenové analýzy (EDX). Výsledky spektroskopické elipsometrie s proměnným úhlem (VASE) a optické propustnosti a reflektivity v UV, VIS, NIR oblasti spektra byly použity k vyhodnocení optické šířky zakázaného pásu a dalších optických parametrů. Byla měřena izokinetická teplotní závislost plošného elektrického odporu van der Pauwovou metodou a vyhodnoceny aktivační energie elektrické vodivosti. Čerstvě připravené vrstvy obsahující germanium se dle XRD podařilo připravit amorfní, vrstvy bez obsahu germania byly krystalické. Z měření DSC a teplotní závislosti plošného elektrického odporu zjištěného van der Pauwovou metodou vyplývá, že ke krystalizaci amorfních vrstev zpravidla docházelo v rozmezí teplot 130 ? 170 °C. Některé ze studovaných materiálů mohou být vhodné pro použití jako aktivní materiál pro permanentní ?phase-change? paměti. U některých vzorků, činil rozdíl v hodnotách optické reflektivity cca. 20% v celém rozsahu viditelného spektra. Rozdíl v hodnotách plošného elektrického odporu mezi krystalickou a amorfní fází byl u většiny vzorků přibližně tři řády.
