Příprava a vlastnosti sloučeniny GaGeTe.

Jakeš, Filip

Digitální knihovna UPCE
→
Fakulta chemicko-technologická / Faculty of Chemical Technology
→
Katedra obecné a anorganické chemie / Department of General and Inorganic Chemistry
→
Diplomové práce / Theses KOANCH FCHT (Ing.)
→
Zobrazit záznam

dc.contributor.advisor	Drašar, Čestmír	cze
dc.contributor.author	Jakeš, Filip
dc.date.accessioned	2010-06-17T19:48:11Z
dc.date.available	2010-06-17T19:48:11Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier	Univerzitní knihovna (sklad)	cze
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10195/36005
dc.description.abstract	Z prvků polovodičové čistoty byla připravena řada polykrystalických vzorků GaGeTe1-xSbx, kde x= 0, 0.01, 0.03,0.05,0.07. Tyto vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí, měřením elektrické vodivosti, Hallovy konstanty, Seebeckova koeficientu, tepelné vodivosti a měrné tepelné kapacity.	cze
dc.format	52 s.	cze
dc.format.extent	958082 bytes	cze
dc.format.mimetype	application/pdf	cze
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	Práce není přístupná	cze
dc.subject	polovodiče	cze
dc.subject	polykrystaly	cze
dc.subject	GaGeTe	cze
dc.subject	vlastnosti	cze
dc.subject	semiconductors	eng
dc.subject	polycrystalline	eng
dc.title	Příprava a vlastnosti sloučeniny GaGeTe.	cze
dc.title.alternative	Preparation and properties of GaGeTe compound.	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dc.contributor.referee	Titz, Miloš	cze
dc.date.accepted	2010	cze
dc.description.abstract-translated	Polycrystalline samples of GaGeTe1-xSbx, x = 0, 0.01, 0.03,0.05,0.07 were prepared from elements of semiconductor.	eng
dc.description.department	Katedra obecné a anorganické chemie	cze
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.identifier.signature	D21973	cze
dc.identifier.signature	D21973
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze