Investigation of Bi2Te3-Bi2Te3-xSx structures by photovoltage measurements

Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.author Lošťák, Petr
dc.contributor.author Drašar, Čestmír
dc.contributor.author Toušek, Jiří
dc.contributor.author Prokeš, Jan
dc.date.accessioned 2009-03-12T16:11:28Z
dc.date.available 2009-03-12T16:11:28Z
dc.date.issued 2002
dc.identifier Univerzitní knihovna (studovna) cze
dc.identifier.issn 1211-5541
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10195/32681
dc.description.abstract The single-crystal structure of Bi2Te3 -Bi2Te3-xSx with a p-n junction was prepared by the heat treatment of p -Bi2Te3 in sulphur vapors.This structure was characterized by the measurement of the photovoltaic effect. The dependence of the photovoltage at 77 K on the wavelenght shows two speaks at 2.8 um (=0.44 eV) and at 1.9 um (=0.65 eV). The higher peak at 2.8 um (=0.44 eV) corresponds to the bandgap (Eg = 0.43 eV) of Bi8Te7S5. It is created probably by the electric field on the p-n junction at the interface of n -Bi8Te7S5 and deeper lying p -Bi2Te3-xSx with x0.15. eng
dc.format p. 71-76 cze
dc.format.extent cze
dc.format.mimetype cze
dc.language.iso eng
dc.publisher Univerzita Pardubice cze
dc.relation.ispartof Scientific papers of the University of Pardubice. Series A, Faculty of Chemical technology. 7 (2001) eng
dc.rights cze
dc.subject směsné telluridy cze
dc.subject struktura cze
dc.subject fotonapětí cze
dc.subject Měření cze
dc.subject Detekce cze
dc.title Investigation of Bi2Te3-Bi2Te3-xSx structures by photovoltage measurements eng
dc.type article cze
dc.identifier.signature 47333
dc.peerreviewed yes eng
dc.publicationstatus published eng


Soubory tohoto záznamu

Soubory Velikost Formát Zobrazit

K tomuto záznamu nejsou připojeny žádné soubory.

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam

Vyhledávání


Rozšířené hledání

Procházet

Můj účet

Statistiky